Automatikos terminų žodynas. – Vilnius: Technika. Vilius Antanas Geleževičius, Angelė Kaulakienė, Stanislovas Marcinkevičius. 2004.
Zweiter Durchbruch — Betriebsgrenzen eines pnp Darlingtonleistungs transistors Typ BDV66C; Jede Kombination zwischen Kollektor Emitter Spannung und Transferstrom unterhalb der Linie ist erlaubt. Als zweiter Durchbruch (englisch secondary breakdown) wird eine… … Deutsch Wikipedia
Kollektorübergangdurchbruch — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
claquage de jonction de collecteur — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
collector junction breakdown — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
kolektoriaus sandūros pramušimas — statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de collecteur, m … Automatikos terminų žodynas
пробой коллекторного перехода — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Stromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors — Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige … Deutsch Wikipedia
